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HY62KT08081E-DT85E

更新时间: 2024-10-01 23:57:15
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 存储内存集成电路静态存储器光电二极管ISM频段
页数 文件大小 规格书
12页 192K
描述
x8 SRAM

HY62KT08081E-DT85E 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP1, TSSOP28,.53,22针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:85 ns
其他特性:ALSO OPERATES AT 3.3V NOMINALI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e6
长度:11.8 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装等效代码:TSSOP28,.53,22
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.03 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:GULL WING端子节距:0.55 mm
端子位置:DUAL宽度:8 mm
Base Number Matches:1

HY62KT08081E-DT85E 数据手册

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HY62K(U,V)T08081E Series  
32Kx8bit CMOS SRAM  
Document Title  
32K x8 bit 2.7~3.3V / 3.0~3.6V / 2.7~3.6V Low Power Slow SRAM  
Revision History  
Revision No History  
Draft Date  
Remark  
00  
01  
Initial  
Jan.20.2000  
Final  
Merged 3.0V/3.3V SPEC  
Revised  
Feb.21.2001  
Apr.30.2001  
Final  
Final  
-
-
Marking Information Change : SOP Type  
Voh Limit Change : 2.4V => 2.2V @2.7~3.6V  
02  
Changed Logo  
-
HYUNDAI -> hynix  
-
Marking Information Change  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any responsibility  
for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev 02 / Apr. 2001  
Hynix Semiconductor  

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