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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 70 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.09 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY62C87 | ETC |
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| HY62CT08081E | HYNIX |
获取价格 |
32Kx8bit CMOS SRAM |
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| HY62CT08081E-C | HYNIX |
获取价格 |
32Kx8bit CMOS SRAM |
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| HY62CT08081E-DG55C | HYNIX |
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Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28 |
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| HY62CT08081E-DG55E | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28 |
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| HY62CT08081E-DG70C | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28 |
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| HY62CT08081E-DG85C | HYNIX |
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Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28 |
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| HY62CT08081E-DG85I | HYNIX |
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Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28 |
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| HY62CT08081E-DGC | HYNIX |
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32Kx8bit CMOS SRAM |
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| HY62CT08081E-DGE | HYNIX |
获取价格 |
32Kx8bit CMOS SRAM |
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