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HY62C64P70

更新时间: 2024-01-12 11:15:25
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 643K
描述
x8 SRAM

HY62C64P70 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP28,.6Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T28
JESD-609代码:e0内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:28字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.002 A子类别:SRAMs
最大压摆率:0.09 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HY62C64P70 数据手册

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