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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | TSOP1, TSSOP28,.53,22 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 | JESD-609代码： | e6 |
| 长度： | 11.8 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装等效代码： | TSSOP28,.53,22 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.55 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY62CT08081E-DT70I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 |
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| HY62CT08081E-DT85C | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 |
|
| HY62CT08081E-DTC | HYNIX |
获取价格 |
32Kx8bit CMOS SRAM |
|
| HY62CT08081E-DTE | HYNIX |
获取价格 |
32Kx8bit CMOS SRAM |
|
| HY62CT08081E-DTI | HYNIX |
获取价格 |
32Kx8bit CMOS SRAM |
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| HY62CT08081E-E | HYNIX |
获取价格 |
32Kx8bit CMOS SRAM |
|
| HY62CT08081E-I | HYNIX |
获取价格 |
32Kx8bit CMOS SRAM |
|
| HY62EF16100CLLF-10 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48 |
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| HY62EF16100CLLF-10I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48 |
|
| HY62EF16100CLLF-12 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 120ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48 |
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