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HY62CT08081E-DG70C

更新时间： 2024-01-06 01:58:30

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	179K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28

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HY62CT08081E-DG70C 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP, SOP28,.5	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.32
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
长度：	18.39 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP28,.5
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.1496 mm
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.05 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	8.69 mm	Base Number Matches：	1

HY62CT08081E-DG70C 数据手册

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HY62CT08081E Series

32Kx8bit CMOS SRAM

Document Title

32K x8 bit 5.0V Low Power Slow SRAM

Revision History

Revision No History

Draft Date

Remark

Initial

Nov.01.2000

Dec.05.2000

Preliminary

Marking Information Add

Revised

DC / AC Characteristics

AC Test Condition Add : 5pF Test Load

Revised

Feb.13.2001

Final

Remove L-Part

Change LL-Part Isb1 Limit @E.T/I.T

: 15uA => 20uA

Revised

Feb.21.2001

Apr.30.2001

Final

Marking Information Change : SOP Type

Changed Logo

HYUNDAI -> hynix

Marking Information Change

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any responsibility

for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev 04 / Apr. 2001

Hynix Semiconductor

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