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HY5Y5A6DSFP-HF

更新时间： 2024-01-16 12:18:06

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
25页	1637K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54

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HY5Y5A6DSFP-HF 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	54
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PBGA-B54
JESD-609代码：	e1	长度：	13.5 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	16MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.1 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

Preliminary

HY5Y5A6D(L/S)F(P)-xF

4Banks x 4M x 16bits Synchronous DRAM

BASIC FUNCTIONAL DESCRIPTION

Mode Register

BA1

BA0

A11

A10

OP Code

CAS Latency

Burst Length

OP Code

Write Mode

Burst Read and Burst Write

Burst Read and Single Write

Burst Type

Sequential

Interleave

CAS Latency

Burst Length

CAS Latency

Reserved

Burst Length

A3 = 0

A3=1

Reserved

Full page

Reserved

Rev 0.3 / Aug. 2003

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5Y5A6DSF-SF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54	获取价格
HY5Y6B6DLF-HF	HYNIX	4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM	获取价格
HY5Y6B6DLF-PF	HYNIX	4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM	获取价格
HY5Y6B6DLFP-HF	HYNIX	4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM	获取价格
HY5Y6B6DLFP-PF	HYNIX	4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM	获取价格
HY5Y7A2DLM-HF	HYNIX	4Banks x 4M x 32bits Synchronous DRAM	获取价格