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HY5Y5A6DSFP-HF

更新时间： 2024-02-11 21:32:30

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
25页	1637K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54

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HY5Y5A6DSFP-HF 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	54
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PBGA-B54
JESD-609代码：	e1	长度：	13.5 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	16MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.1 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

Preliminary

HY5Y5A6D(L/S)F(P)-xF

4Banks x 4M x 16bits Synchronous DRAM

PACKAGE INFORMATION

54 Ball 0.8mm pitch 8mm FBGA

Unit [mm]

8.0

6.40BSC

0.80(Typ)

A1 INDEX MARK

0.8

0.80(Typ)

0.450±0.05

Bottom

View

0.340±0.05

4.00±0.05

3.20 ± 0.05

1.1 max

Rev 0.3 / Aug. 2003

1...22 23 2425

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY5Y5A6DSF-SF	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54
HY5Y6B6DLF-HF	HYNIX	获取价格	4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM
HY5Y6B6DLF-PF	HYNIX	获取价格	4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM
HY5Y6B6DLFP-HF	HYNIX	获取价格	4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM
HY5Y6B6DLFP-PF	HYNIX	获取价格	4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM
HY5Y7A2DLM-HF	HYNIX	获取价格	4Banks x 4M x 32bits Synchronous DRAM
HY5Y7A2DLMP-HF	HYNIX	获取价格	4Banks x 4M x 32bits Synchronous DRAM
HY-6	PERKINELMER	获取价格	Thyratrons
HY60	ETC	获取价格	IC-30W BIPOLAR POWER AMP
HY-60	PERKINELMER	获取价格	Thyratrons