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HY5Y5A6DSFP-HF

更新时间： 2024-02-11 17:50:06

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海力士 - HYNIX		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
25页	1637K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54

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技术参数
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HY5Y5A6DSFP-HF 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	54
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PBGA-B54
JESD-609代码：	e1	长度：	13.5 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	16MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.1 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

HY5Y5A6DSFP-HF 数据手册

Preliminary

HY5Y5A6D(L/S)F(P)-xF

4Banks x 4M x 16bits Synchronous DRAM

BALL DESCRIPTION

54 Ball

FBGA

0.8mm

Ball Pitch

VSS

DQ15

DQ13

DQ11

DQ9

VSSQ

VDDQ

VSSQ

VDDQ

VSS

VDDQ

VSSQ

VDDQ

VSSQ

VDD

/CAS

BA0

DQ0

DQ2

DQ4

DQ6

VDD

DQ14

DQ12

DQ10

DQ8

UDQM

A12

DQ1

DQ3

DQ5

DQ7

/WE

/CS

LDQM

/RAS

BA1

CLK

A11

CKE

A10

VSS

VDD

< Top View >

Rev 0.3 / Aug. 2003

123 4 5 6 7...25

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与HY5Y5A6DSFP-HF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5Y5A6DSF-SF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54	获取价格
HY5Y6B6DLF-HF	HYNIX	4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM	获取价格
HY5Y6B6DLF-PF	HYNIX	4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM	获取价格
HY5Y6B6DLFP-HF	HYNIX	4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM	获取价格
HY5Y6B6DLFP-PF	HYNIX	4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM	获取价格
HY5Y7A2DLM-HF	HYNIX	4Banks x 4M x 32bits Synchronous DRAM	获取价格