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HY5Y5A6DF-HF

更新时间： 2024-02-23 02:32:38

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海力士 - HYNIX		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
25页	214K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54

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HY5Y5A6DF-HF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA54,9X9,32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	5.4 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	S-PBGA-B54	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.00035 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.18 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

HY5Y5A6DF-HF 数据手册

Preliminary

HY5Y5A6D(L/S)F(P)-xF

4Banks x 4M x 16bits Synchronous DRAM

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

4Mbit x 4banks x 16 I/O Low Power Synchronous DRAM

PASR, TCSR

Extended

Self refresh

Mode

logic & timer

Internal Row

Counter

4Mx16 Bank 3

4Mx16 Bank 2

4Mx16 Bank 1

4Mx16 Bank 0

CLK

CKE

Row

Pre

Decoder

Row Active

DQ0

RAS

CAS

Refresh

Memory

Cell

Array

Column Active

Column

Pre

Decoder

U/LDQM

DQ15

Column decoders

Column Add

Counter

Bank Select

Address

Burst

Counter

A12

BA1

BA0

CAS Latency

Mode Register

Data Out Control

Rev 0.3 / Aug. 2003

1 2 345 6 7...25

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与HY5Y5A6DF-HF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5Y5A6DF-PF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54	获取价格
HY5Y5A6DFP-HF	HYNIX	DRAM	获取价格
HY5Y5A6DF-SF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54	获取价格
HY5Y5A6DLF-HF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
HY5Y5A6DLF-PF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54	获取价格
HY5Y5A6DLFP-HF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54	获取价格