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HY5Y5A6DF-HF

更新时间： 2024-01-26 14:07:29

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海力士 - HYNIX		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
25页	214K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54

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HY5Y5A6DF-HF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA54,9X9,32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	5.4 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	S-PBGA-B54	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.00035 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.18 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

HY5Y5A6DF-HF 数据手册

Preliminary

HY5Y5A6D(L/S)F(P)-xF

4Banks x 4M x 16bits Synchronous DRAM

BALL DESCRIPTION

54 Ball

FBGA

0.8mm

Ball Pitch

VSS

DQ15

DQ13

DQ11

DQ9

VSSQ

VDDQ

VSSQ

VDDQ

VSS

VDDQ

VSSQ

VDDQ

VSSQ

VDD

/CAS

BA0

DQ0

DQ2

DQ4

DQ6

VDD

DQ14

DQ12

DQ10

DQ8

UDQM

A12

DQ1

DQ3

DQ5

DQ7

/WE

/CS

LDQM

/RAS

BA1

CLK

A11

CKE

A10

VSS

VDD

< Top View >

Rev 0.3 / Aug. 2003

123 4 5 6 7...25

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与HY5Y5A6DF-HF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5Y5A6DF-PF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54	获取价格
HY5Y5A6DFP-HF	HYNIX	DRAM	获取价格
HY5Y5A6DF-SF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54	获取价格
HY5Y5A6DLF-HF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
HY5Y5A6DLF-PF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54	获取价格
HY5Y5A6DLFP-HF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54	获取价格