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HY5W2A2F-PC PDF预览

HY5W2A2F-PC

更新时间： 2024-01-26 00:33:02
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 372K
描述
Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, FBGA-90

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HY5W2A2F-PC 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA90,9X15,32针数：90
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.84
访问模式：FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间：7 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：100 MHz
I/O 类型：COMMON交错的突发长度：1,2,4,8
JESD-30 代码：R-PBGA-B90JESD-609代码：e1
长度：13 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：32
功能数量：1端口数量：1
端子数量：90字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：80 °C最低工作温度：-10 °C
组织：4MX32输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA90,9X15,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：1.8/2.5,2.5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：4096座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES连续突发长度：1,2,4,8,FP
最大待机电流：0.0006 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.13 mA最大供电电压 (Vsup)：2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL EXTENDED端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：20
宽度：8 mmBase Number Matches：1

HY5W2A2F-PC 数据手册

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HY5W2A2(L/S)F-C / HY57W2A3220(L/S)T-C  
HY5W22F-C / HY57W283220T-C  
4Banks x 1M x 32bits Synchronous DRAM  
CURRENT STATE TRUTH TABLE (Sheet 1 of 3)  
Command  
BA0,BA1 A11-A0  
OP Code  
Current State  
Action  
Notes  
CS  
Description  
RAS CAS WE  
Mode Register Set Set the Mode Register  
Auto or Self Refresh Start Auto or Self Refresh  
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
14  
5
L
H
L
X
X
X
Precharge  
Bank Activate  
No Operation  
Activate the specified bank  
H
H
BA  
BA  
Row Add.  
idle  
H
and row  
Write/WriteAP  
Read/ReadAP  
ILLEGAL  
Col Add.  
A10  
L
L
H
H
L
L
L
BA  
BA  
4
4
ILLEGAL  
Col Add.  
A10  
H
No Operation  
No Operation or Power Down  
L
H
L
L
L
L
L
H
X
L
H
X
L
H
X
L
H
L
H
L
X
X
X
No Operation  
Device Deselect  
Mode Register Set ILLEGAL  
Auto or Self Refresh  
3
X
3
13,14  
13  
7
OP Code  
L
L
X
X
X
ILLEGAL  
Precharge  
ILLEGAL  
L
L
H
H
H
L
BA  
BA  
BA  
Precharge  
Row Add. Bank Activate  
Col Add. Write/WriteAP  
A10  
Col Add. Read/ReadAP  
A10  
4
6
Start Write : optional  
AP(A10=H)  
Start Read : optional  
AP(A10=H)  
Row  
Active  
L
H
L
H
BA  
6
L
H
L
L
L
H
X
L
L
L
H
X
L
H
X
L
H
L
X
X
X
X
No Operation  
Device Deselect  
Mode Register Set ILLEGAL  
Auto or Self Refresh ILLEGAL  
Precharge  
No Operation  
No Operation  
OP Code  
13,14  
13  
L
X
BA  
X
X
Termination Burst: Start the  
H
Precharge  
ILLEGAL  
Row Add.  
Col Add.  
A10  
Col Add. Read/ReadAP  
A10  
L
L
L
H
H
L
H
L
BA  
BA  
Bank Activate  
Write/WriteAP  
4
8,9  
Read  
Termination Burst: Start  
Write(optional AP)  
Termination Burst: Start  
Read(optional AP)  
L
H
L
H
BA  
8
L
H
L
L
L
H
X
L
L
L
H
X
L
H
X
L
H
L
X
X
X
X
No Operation  
Device Deselect  
Mode Register Set ILLEGAL  
Auto or Self Refresh ILLEGAL  
Precharge  
Continue the Burst  
Continue the Burst  
OP Code  
13,14  
13  
10  
L
X
BA  
X
X
Termination Burst: Start the  
H
Precharge  
L
L
L
H
L
H
L
BA  
BA  
Row Add. Bank Activate  
Col Add. Write/WriteAP  
A10  
Col Add. Read/ReadAP  
A10  
ILLEGAL  
4
8
Write  
Termination Burst: Start  
Write(optional AP)  
H
Termination Burst: Start  
Read(optional AP)  
L
H
L
H
BA  
8,9  
L
H
H
X
H
X
H
X
X
X
X
X
No Operation  
Device Deselect  
Continue the Burst  
Continue the Burst  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor Inc. does not assume  
any responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 0.5/Nov. 02  
1...78910111213...25

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与HY5W2A2F-PC相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
HY5W2A2LF-8 HYNIX Synchronous DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, FBGA-90

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HY5W2A2LF-HC HYNIX Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, FBGA-90

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