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HY5W6B6DLFP-HE

更新时间： 2024-02-24 07:46:30

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海力士 - HYNIX		动态存储器
页数	文件大小	规格书
27页	345K
描述
4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM

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HY5W6B6DLFP-HE 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	54
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	7 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	S-PBGA-B54
JESD-609代码：	e1	长度：	8 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

Preliminary

HY5W6B6DLF(P)-xE

4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM

Document Title

4Bank x 1M x 16bits Synchronous DRAM

Revision History

Revision No.

History

Draft Date

Remark

0.1

Initial Draft

February 2004

Preliminary

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.1 / Feb. 2004

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5W6B6DLFP-PE	HYNIX	4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM	获取价格
HY5Y2B6DLF-HE	HYNIX	4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM	获取价格
HY5Y2B6DLFP-HE	HYNIX	4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM	获取价格
HY5Y56DF-SF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54	获取价格
HY5Y5A6DF-HF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54	获取价格
HY5Y5A6DF-PF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54	获取价格