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HY5V58BF-P

更新时间: 2024-01-31 10:32:44
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 268K
描述
Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54

HY5V58BF-P 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:TFBGA, BGA54,9X9,32针数:54
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.24风险等级:5.84
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):100 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B54JESD-609代码:e1
长度:13.5 mm内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:54字数:33554432 words
字数代码:32000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA54,9X9,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
座面最大高度:1.07 mm自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.2 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN SILVER COPPER端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
宽度:8 mmBase Number Matches:1

HY5V58BF-P 数据手册

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HY5V58B(L)F  
CAPACITANCE (TA=25°C, f=1MHz)  
-H  
-8/P/S  
Max.  
Parameter  
Ball  
Symbol  
Unit  
Min.  
Max.  
Min.  
Input Capacitance  
CLK  
CI1  
CI2  
2.5  
2.5  
3.5  
3.8  
2.5  
2.5  
4
5
pF  
pF  
A0 ~ A11, BA0, BA1, CKE,  
CS, RAS, CAS, WE, DQM  
Data Input / Output Capacitance  
DQ0 ~ DQ7  
CI/O  
4
6.5  
4
6.5  
pF  
OUTPUT LOAD CIRCUIT  
Vtt=1.4V  
RT=250 Ω  
Output  
Output  
50pF  
50pF  
DC Output Load Circuit  
AC Output Load Circuit  
DC CHARACTERISTICS I (TA=0 to 70°C, VDD=3.3±0.3V)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Max  
Unit  
Note  
Input Leakage Current  
Output Leakage Current  
Output High Voltage  
Output Low Voltage  
ILI  
-1  
-1  
2.4  
-
1
1
uA  
uA  
V
1
2
ILO  
VOH  
VOL  
-
IOH = -2mA  
IOL =+2mA  
0.4  
V
Note :  
1.VIN = 0 to 3.6V, All other Balls are not under test = 0V  
2.DOUT is disabled, VOUT=0 to 3.6V  
Rev. 0.1/Apr. 02  
7

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