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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | TFBGA, BGA90,9X15,32 |
| 针数： | 90 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.84 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 5 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 183 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 1,2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B90 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 13 mm |
| 内存密度： | 67108864 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 32 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 90 |
| 字数： | 2097152 words | 字数代码： | 2000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2MX32 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装等效代码： | BGA90,9X15,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流： | 0.002 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.26 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY5V62DLFP-6 | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LE |
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| HY5V62DLFP-7 | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LE |
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| HY5V62DSF-55 | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA |
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| HY5V62DSF-6 | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FB |
|
| HY5V62DSF-7 | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FB |
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| HY5V62DSFP-55 | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD |
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| HY5V62DSFP-6 | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LE |
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| HY5V62DSFP-7 | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LE |
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| HY5V66DF6-H | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 4MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 10 X 6.40 MM, FBGA-60 |
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| HY5V66DF6P-H | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 4MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 10 X 6.40 MM, LEAD FREE, FBGA-60 |
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