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HY5V66EF6-7

更新时间： 2024-01-24 05:08:55

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路动态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
12页	220K
描述
64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O

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HY5V66EF6-7 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA60,7X15,25
针数：	60	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	143 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	长度：	10.1 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	60
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA60,7X15,25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.1 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	6.4 mm	Base Number Matches：	1

64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O

Document Title

4Bank x 1M x 16bits Synchronous DRAM

Revision History

Revision No.

History

Draft Date

Remark

0.01

Initial Draft

Dec. 2004

Preliminary

1. Editorial chage

0.80Typ --> 0.45 +/-0.05 (page12, Ball Dimension)

Before dimension :

0.65 Typ.

0.80 Typ.

0.2

June. 2005

Preliminary

After dimension :

0.65 Typ.

0.450 +/- 0.05

2. Added

Speed Product(100MHz CL2) (see to Page 02)

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.2 / June. 2005

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5V66EF6-H	HYNIX	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O	获取价格
HY5V66EF-6I	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-54	获取价格
HY5V66EF6-P	HYNIX	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O	获取价格
HY5V66EF6P-5	HYNIX	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O	获取价格
HY5V66EF6P-6	HYNIX	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O	获取价格
HY5V66EF6P-7	HYNIX	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O	获取价格