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HY5V66EF6-7

更新时间： 2024-01-05 15:38:04

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路动态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
12页	220K
描述
64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O

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HY5V66EF6-7 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA60,7X15,25
针数：	60	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	143 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	长度：	10.1 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	60
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA60,7X15,25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.1 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	6.4 mm	Base Number Matches：	1

11Preliminary

Synchronous DRAM Memory 64Mbit (4Mx16bit)

HY5V66E(L)F6(P) Series

BASIC FUNCTIONAL DESCRIPTION

Mode Register

BA1

BA0

A11

A10

OP Code

CAS Latency

Burst Length

OP Code

Write Mode

Burst Read and Burst Write

Burst Read and Single Write

Burst Type

Sequential

Interleave

CAS Latency

Burst Length

CAS Latency

R e s e r v e d

Burst Length

A3 = 0

A3=1

Reserved

R e s e r v e d

Reserved

Full Page

Reserved

Rev. 0.2 / June. 2005

1 2 3 456 7 8...12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5V66EF6-H	HYNIX	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O	获取价格
HY5V66EF-6I	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-54	获取价格
HY5V66EF6-P	HYNIX	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O	获取价格
HY5V66EF6P-5	HYNIX	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O	获取价格
HY5V66EF6P-6	HYNIX	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O	获取价格
HY5V66EF6P-7	HYNIX	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O	获取价格