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HY5V66EF-6I

更新时间： 2024-02-27 04:19:49

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海力士 - HYNIX		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	174K
描述
Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-54

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HY5V66EF-6I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA60,9X11,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	S-PBGA-B54
长度：	8 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA60,9X11,32	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.16 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O

Document Title

4Bank x 1M x 16bits Synchronous DRAM

Revision History

Revision No.

History

Draft Date

Remark

0.1

Initial Draft

Dec. 2004

Preliminary

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.1 / Dec. 2004

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5V66EF6-P	HYNIX	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O	获取价格
HY5V66EF6P-5	HYNIX	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O	获取价格
HY5V66EF6P-6	HYNIX	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O	获取价格
HY5V66EF6P-7	HYNIX	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O	获取价格
HY5V66EF6P-H	HYNIX	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O	获取价格
HY5V66EF6P-P	HYNIX	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O	获取价格