5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > HY5V58BF-P
HY5V58BF-P PDF预览

HY5V58BF-P

更新时间： 2024-01-30 02:58:57
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 268K
描述
Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54

阅读下载

获取价格

HY5V58BF-P 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA54,9X9,32针数：54
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.24风险等级：5.84
访问模式：FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间：6 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：100 MHz
I/O 类型：COMMON交错的突发长度：1,2,4,8
JESD-30 代码：R-PBGA-B54JESD-609代码：e1
长度：13.5 mm内存密度：268435456 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：8
功能数量：1端口数量：1
端子数量：54字数：33554432 words
字数代码：32000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：32MX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA54,9X9,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：8192
座面最大高度：1.07 mm自我刷新：YES
连续突发长度：1,2,4,8,FP最大待机电流：0.001 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
宽度：8 mmBase Number Matches：1

HY5V58BF-P 数据手册

 浏览型号HY5V58BF-P的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HY5V58BF-P的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HY5V58BF-P的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HY5V58BF-P的Datasheet PDF文件第9页浏览型号HY5V58BF-P的Datasheet PDF文件第10页浏览型号HY5V58BF-P的Datasheet PDF文件第11页 
HY5V58B(L)F  
AC CHARACTERISTICS I (AC operating conditions unless otherwise noted)  
-H  
-8  
-P  
-S  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Note  
Min  
7.5  
10  
2.5  
2.5  
-
Max  
Min  
8
Max  
Min  
10  
10  
3
Max  
Min  
10  
12  
3
Max  
CAS Latency = 3  
CAS Latency = 2  
tCK3  
tCK2  
tCHW  
tCLW  
tAC3  
tAC2  
tOH  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
System Clock  
Cycle Time  
1000  
1000  
1000  
1000  
10  
3
Clock High Pulse Width  
Clock Low Pulse Width  
-
-
-
-
-
-
-
1
1
-
3
3
3
CAS Latency = 3  
5.4  
-
6
6
-
-
6
6
-
-
6
6
-
Access Time From  
Clock  
2
CAS Latency = 2  
-
6
-
-
-
Data-Out Hold Time  
2.7  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
1
-
-
3
3
3
Data-Input Setup Time  
Data-Input Hold Time  
Address Setup Time  
Address Hold Time  
tDS  
2
-
2
-
2
-
1
1
1
1
1
1
1
1
tDH  
-
1
-
1
-
1
-
tAS  
-
2
-
2
-
2
-
tAH  
-
1
-
1
-
1
-
CKE Setup Time  
tCKS  
tCKH  
tCS  
-
2
-
2
-
2
-
CKE Hold Time  
-
1
-
1
-
1
-
Command Setup Time  
Command Hold Time  
CLK to Data Output in Low-Z Time  
-
2
-
2
-
2
-
tCH  
-
1
-
1
-
1
-
tOLZ  
tOHZ3  
tOHZ2  
-
1
-
1
-
1
-
CAS Latency = 3  
CAS Latency = 2  
2.7  
3
5.4  
6
3
6
6
3
6
6
3
6
6
CLK to Data  
Output in High-Z  
Time  
3
3
3
Note :  
1.Assume tR / tF (input rise and fall time ) is 1ns  
If tR & tF > 1ns, then [(tR+tF)/2-1]ns should be added to the parameter  
2.Access times to be measured with input signals of 1v/ns edge rate, from 0.8v to 2.0v  
If tR > 1ns, then (tR/2-0.5)ns should be added to the parameter  
Rev. 0.1/Apr. 02  
9
1...567891011...14

下载PDF

与HY5V58BF-P相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
HY5V58BLF ETC 32Mx8|3.3V|8K|H/8/P/S|SDR SDRAM - 256M

获取价格
HY5V58BLF-8 HYNIX Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54

获取价格
HY5V58BLF-H HYNIX Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54

获取价格
HY5V58BLF-S HYNIX Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54

获取价格
HY5V62CF HYNIX 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM

获取价格
HY5V62CF-7 HYNIX 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM

获取价格

与HY5V58BF-P相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证