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HY5V58BF-P

更新时间： 2024-01-18 16:48:36

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海力士 - HYNIX		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	268K
描述
Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54

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HY5V58BF-P 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA54,9X9,32	针数：	54
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B54	JESD-609代码：	e1
长度：	13.5 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA54,9X9,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.07 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

HY5V58B(L)F

PACKAGE INFORMATION

54 Ball 0.8mm pitch 8.0mm x 13.5mm FBGA

0.80

13.50

6.40

0.450

0.80

8.00

0.340

1.070

6.40

Rev. 0.1/Apr. 02

1...11 12 1314

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5V58BLF	ETC	32Mx8\|3.3V\|8K\|H/8/P/S\|SDR SDRAM - 256M	获取价格
HY5V58BLF-8	HYNIX	Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
HY5V58BLF-H	HYNIX	Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
HY5V58BLF-S	HYNIX	Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
HY5V62CF	HYNIX	4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM	获取价格
HY5V62CF-7	HYNIX	4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM	获取价格