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HY5V58BF-P

更新时间： 2024-01-28 05:30:19

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海力士 - HYNIX		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	268K
描述
Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54

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HY5V58BF-P 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA54,9X9,32	针数：	54
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B54	JESD-609代码：	e1
长度：	13.5 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA54,9X9,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.07 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

HY5V58BF-P 数据手册

HY5V58B(L)F

DEVICE OPERATING OPTION TABLE

HY5V58B(L)F-H

CAS Latency

tRCD

tRAS

tRC

tRP

tAC

tOH

133MHz(7.5ns)

125MHz(8ns)

100MHz(10ns)

3CLKs

2CLKs

3CLKs

2CLKs

6CLKs

5CLKs

9CLKs

7CLKs

3CLKs

2CLKs

5.4ns

6ns

2.7ns

3ns

HY5V58B(L)F-8

CAS Latency

tRCD

tRAS

tRC

tRP

tAC

tOH

125MHz(8ns)

100MHz(10ns)

83MHz(12ns)

3CLKs

2CLKs

3CLKs

2CLKs

6CLKs

5CLKs

4CLKs

9CLKs

7CLKs

6CLKs

3CLKs

2CLKs

6ns

3ns

HY5V58B(L)F-P

CAS Latency

tRCD

tRAS

tRC

tRP

tAC

tOH

100MHz(10ns)

83MHz(12ns)

66MHz(15ns)

2CLKs

5CLKs

4CLKs

7CLKs

6CLKs

2CLKs

6ns

3ns

HY5V58B(L)F-S

CAS Latency

tRCD

tRAS

tRC

tRP

tAC

tOH

100MHz(10ns)

83MHz(12ns)

66MHz(15ns)

3CLKs

2CLKs

5CLKs

4CLKs

7CLKs

6CLKs

2CLKs

6ns

3ns

Rev. 0.1/Apr. 02

1...9 10 111213 14

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与HY5V58BF-P相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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