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HY5V58BF-P

更新时间： 2024-02-25 11:16:22

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海力士 - HYNIX		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	268K
描述
Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54

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HY5V58BF-P 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA54,9X9,32	针数：	54
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B54	JESD-609代码：	e1
长度：	13.5 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA54,9X9,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.07 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

HY5V58BF-P 数据手册

HY5V58B(L)F

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Ambient Temperature

0 ~ 70

-55 ~ 125

-1.0 ~ 4.6

°C

Storage Temperature

TSTG

°C

Voltage on Any Ball relative to VSS

Voltage on VDD relative to VSS

Short Circuit Output Current

Power Dissipation

VIN, VOUT

VDD, VDDQ

IOS

Soldering Temperature Time

TSOLDER

260 10

°C Sec

Note : Operation at above absolute maximum rating can adversely affect device reliability.

DC OPERATING CONDITION ^(TA=0 to 70°C)

Parameter

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Note

Power Supply Voltage

Input High voltage

Input Low voltage

VDD, VDDQ

VIH

3.0

2.0

3.3

3.0

3.6

VDDQ + 0.3

0.8

1,2

1,3

VIL

-0.3

Note :

1.All voltages are referenced to VSS = 0V

2.VIH(max) is acceptable 5.6V AC pulse width with <=3ns of duration.

3.VIL(min) is acceptable -2.0V AC pulse width with <=3ns of duration.

AC OPERATING TEST CONDITION ^(TA=0 to 70°C, VDD=3.3±0.3V, VSS=0V)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Note

AC Input High / Low Level Voltage

VIH / VIL

Vtrip

2.4/0.4

1.4

Input Timing Measurement Reference Level Voltage

Input Rise / Fall Time

tR / tF

Voutref

Output Timing Measurement Reference Level Voltage

Output Load Capacitance for Access Time Measurement

1.4

Note :

1.Output load to measure access times is equivalent to two TTL gates and one capacitor (50pF). For details, refer to AC/DC output

load circuit

Rev. 0.1/Apr. 02

1 2 3 456 7 8...14

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与HY5V58BF-P相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5V58BLF	ETC	32Mx8\|3.3V\|8K\|H/8/P/S\|SDR SDRAM - 256M	获取价格
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HY5V58BLF-S	HYNIX	Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
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