Datasheet > 存储 > DRAM> HY5V22FP-S

HY5V22FP-S

更新时间： 2024-11-27 02:56:47

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		存储内存集成电路动态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
15页	914K
描述
4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HY5V22FP-S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA90,9X15,32
针数：	90	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B90	JESD-609代码：	e1
长度：	13 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	90	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA90,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.13 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

HY5V22FP-S 数据手册

HY57V283220(L)T(P)/ HY5V22(L)F(P)

4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM

Revision History

Revision No.

History

Remark

0.1

0.2

Defined Preliminary Specification

1) Modified FBGA Ball Configuration Typo.

2) Changed Functional Block Diagram from A10 to A11.

3) Changed VDD min from 3.0V to 3.135V.

4) Changed Cap. Value from C11, 3, 5 to 4pf & C12, 3.8 to 4pf.

5) Insert tAC2 Value.

6) Insdrt tRAS & CLK Value.

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

Defined IDD Spec.

Delited Preliminary.

Changed IDD Spec.

133MHz Speed Added

Changed FBGA Package Size from 11x13 to 8x13.

1) Changed VDD min from 3.135V to 3.0V.

2) Changed VIL min from VSSQ-0.3V to -0.3V.

0.8

0.9

Modified of size erra. (Page15)

(Equation : 13.00 ± 10 -> 13.00 ± 0.10)

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor Inc. does not assume

any responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.9 / July 2004

12 3 4 5 6 7...15

中文翻译

下载PDF

与HY5V22FP-S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY5V22F-S	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM
HY5V22F-SI	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, FBGA-90
HY5V22GF	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM
HY5V22GF-7	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 11 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-90
HY5V22GF-H	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM
HY5V22GF-P	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM
HY5V22GF-S	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 11 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-90
HY5V22LF-5	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM
HY5V22LF-55	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM
HY5V22LF-55I	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, FBGA-90

与HY5V22FP-S相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

46
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

35
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

64
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

61

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HY5V22FP-S

HY5V22FP-S 技术参数

HY5V22FP-S 数据手册

与HY5V22FP-S相关器件

与HY5V22FP-S相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HY5V22FP-S

HY5V22FP-S 技术参数

HY5V22FP-S 数据手册

与HY5V22FP-S相关器件

与HY5V22FP-S相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？