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HY5V22GF-P

更新时间： 2024-11-27 04:22:43

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路动态存储器时钟
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11页	354K
描述
4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM

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HY5V22GF-P 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA90,9X15,32	针数：	90
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B90	JESD-609代码：	e1
长度：	13 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	90	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA90,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.004 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.33 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	11 mm	Base Number Matches：	1

HY5V22GF-P 数据手册

HY5V22GF

4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM

DESCRIPTION

The Hynix HY5V22G is a 134,217,728-bit CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the memory applications

which require wide data I/O and high bandwidth. HY5V22G is organized as 4banks of 1,048,576x32.

HY5V22G is offering fully synchronous operation referenced to a positive edge of the clock. All inputs and outputs are

synchronized with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve very high band-

width. All input and output voltage levels are compatible with LVTTL.

Programmable options include the length of pipeline (Read latency of 2 or 3), the number of consecutive read or write

cycles initiated by a single control command (Burst length of 1,2,4,8 or full page), and the burst count

sequence(sequential or interleave). A burst of read or write cycles in progress can be terminated by a burst terminate

command or can be interrupted and replaced by a new burst read or write command on any cycle. (This pipelined

design is not restricted by a `2N` rule.)

FEATURES

•

JEDEC standard 3.3V power supply

•

Auto refresh and self refresh

All device pins are compatible with LVTTL interface

90Ball FBGA with 0.8mm of pin pitch

4096 refresh cycles / 64ms

Programmable Burst Length and Burst Type

- 1, 2, 4, 8 or full page for Sequential Burst

- 1, 2, 4 or 8 for Interleave Burst

All inputs and outputs referenced to positive edge of

system clock

•

Data mask function by DQM0,1,2 and 3

Internal four banks operation

•

Programmable CAS Latency ; 2, 3 Clocks

Burst Read Single Write operation

ORDERING INFORMATION

Part No.

Clock Frequency

Power

Organization

Interface

Package

HY5V22GF-H

HY5V22GF-P

133MHz

100MHz

4Banks x 1Mbits

x32

Normal

LVTTL

90Ball FBGA

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor Inc. does not assume

any responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.3/Nov. 01

12 3 4 5 6 7...11

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与HY5V22GF-P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY5V22GF-S	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 11 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-90
HY5V22LF-5	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM
HY5V22LF-55	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM
HY5V22LF-55I	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, FBGA-90
HY5V22LF-5I	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 4.5ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, FBGA-90
HY5V22LF-6	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM
HY5V22LF-6I	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, FBGA-90
HY5V22LF-7	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM
HY5V22LF-7I	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, FBGA-90
HY5V22LF-8	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM

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