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HY5DU1294022ALTC-80

更新时间: 2024-09-10 05:01:07
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海力士 - HYNIX 动态存储器双倍数据速率ISM频段光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 154K
描述
DDR DRAM, 32MX4, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66

HY5DU1294022ALTC-80 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:66
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G66JESD-609代码:e6
长度:22.225 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:33554432 words
字数代码:32000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32MX4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

HY5DU1294022ALTC-80 数据手册

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Hyundai  
Electronics  
Industries  
128M DDR SDRAM  
PRELIMINARY  
HYUNDAI 4 Banks X 8/4/2M X 4/8/16 bits DDR SDRAM  
* The contents of this document are subject to change without notice  
DATA SHEET  
HY5DU1294022-75/80/10  
HY5DU1298022-75/80/10  
HY5DU1291622-75/80/10  
HY5DV1294022-75/80/10  
HY5DV1298022-75/80/10  
HY5DV1291622-75/80/10  
Sep., 98  
Rev. 0-A  

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