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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | SOP, | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.84 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G | 内存密度： | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 字数： | 8388608 words | 字数代码： | 8000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 组织： | 8MX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY57V648021LTC-8 | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX8, CMOS, TSOP2 |
|
| HY57V648021TC-10 | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX8, 8ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
|
| HY57V648021TC-7 | ETC |
获取价格 |
x8 SDRAM |
|
| HY57V648021TC-8 | ETC |
获取价格 |
x8 SDRAM |
|
| HY57V64820HG | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
|
| HY57V64820HGLT | ETC |
获取价格 |
8Mx8|3.3V|4K|6|SDR SDRAM - 64M |
|
| HY57V64820HGLT-5 | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
|
| HY57V64820HGLT-55 | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
|
| HY57V64820HGLT-6 | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
|
| HY57V64820HGLT-7 | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
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