生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2, TSOP54,.46,32 | 针数: | 54 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.83 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 5.4 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 143 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 1,2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G54 |
JESD-609代码: | e6 | 长度: | 22.23 mm |
内存密度: | 67108864 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 54 |
字数: | 8388608 words | 字数代码: | 8000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8MX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装等效代码: | TSOP54,.46,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 | 座面最大高度: | 1.194 mm |
自我刷新: | YES | 连续突发长度: | 1,2,4,8,FP |
最大待机电流: | 0.002 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.16 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | TIN BISMUTH |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY57V64820HGLT-8 | HYNIX |
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4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM | |
HY57V64820HGLT-H | HYNIX |
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4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM | |
HY57V64820HGLT-K | HYNIX |
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4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM | |
HY57V64820HGLT-P | HYNIX |
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4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM | |
HY57V64820HGLTP-5 | HYNIX |
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4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM | |
HY57V64820HGLTP-55 | HYNIX |
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4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM | |
HY57V64820HGLTP-6 | HYNIX |
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4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM | |
HY57V64820HGLTP-7 | HYNIX |
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4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM | |
HY57V64820HGLTP-8 | HYNIX |
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4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM | |
HY57V64820HGLTP-H | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |