生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2, | 针数: | 54 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.83 |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G54 | JESD-609代码: | e6 |
长度: | 22.23 mm | 内存密度: | 67108864 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 54 | 字数: | 8388608 words |
字数代码: | 8000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8MX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.194 mm | 自我刷新: | YES |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN BISMUTH | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY57V64820HGT-6 | HYNIX |
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4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM | |
HY57V64820HGT-7 | HYNIX |
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4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM | |
HY57V64820HGT-8 | HYNIX |
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4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM | |
HY57V64820HGT-H | HYNIX |
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4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM | |
HY57V64820HGT-K | HYNIX |
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4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM | |
HY57V64820HGTP | HYNIX |
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4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM | |
HY57V64820HGT-P | HYNIX |
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4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM | |
HY57V64820HGTP-5 | HYNIX |
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4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM | |
HY57V64820HGTP-55 | HYNIX |
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4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM | |
HY57V64820HGTP-6 | HYNIX |
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4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |