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HY57V641611TC-7

更新时间： 2024-02-13 08:34:42

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
15页	483K
描述
x16 SDRAM

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HY57V641611TC-7 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32	针数：	54
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	JESD-609代码：	e0
长度：	22.22 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP54,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.2 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

HY57V641611TC-7 数据手册

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY57V641611TC-8	ETC	获取价格	x16 SDRAM
HY57V641620ELT-5	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 4.5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
HY57V641620ELTP-5	HYNIX	获取价格	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O
HY57V641620ELTP-5I	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 4.5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE
HY57V641620ELTP-6	HYNIX	获取价格	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O
HY57V641620ELTP-7	HYNIX	获取价格	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O
HY57V641620ELTP-H	HYNIX	获取价格	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O
HY57V641620ELTP-HI	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE
HY57V641620EST-6I	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
HY57V641620ESTP-5	HYNIX	获取价格	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O