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HY57V641620ET-7

更新时间： 2024-01-07 18:00:21

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海力士 - HYNIX		动态存储器
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13页	116K
描述
64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O

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HY57V641620ET-7 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.88	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	143 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
JESD-609代码：	e0	长度：	22.238 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.194 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

HY57V641620ET-7 数据手册

64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O

Document Title

4Bank x 1M x 16bits Synchronous DRAM

Revision History

Revision No.

History

Draft Date

Remark

First Version Release

1.0

Nov. 2004

1. Changed tOH: 2.0 --> 2.5

[tCK = 7 & 7.5 (CL3) Product]

1. Changed Input High/Low Voltage (Page 08)

2. Changed DC characteristics (Page 09)

- IDD2NS: 18mA -> 15mA

- IDD5:210 / 195 / 180mA -> 170 / 160 / 150mA

[Speed 200 / 166 / 143 / 133MHz]

3. Changed Clock High / Low pulse width Time (Page 11)

4. Changed tAC Time (Page11)

1.1

1.2

Dec. 2004

5. Changed tRRD Time (Page12)

1. Corrected Revision No.: 2.0 -> 1.1

2. Deleted Remark at Revision History

3. Corrected AC OPERATING CONDITION

- CL 50pF -> 30pF

4. Changed DC OPERATING CONDITION

- VIH MAX VDDQ+2.0 -> VDDQ+0.3 and Typ 3.3 -> 3.0

- VIL MIN VSSQ-2.0 -> -0.3

1.3

1.4

1.5

1. Modified note for Super Low Power in ORDERING INFORMATION

1. Corrected PIN ASSIGNMENT A12 to NC

Jan. 2005

Feb. 2005

1. Corrected comments for overshoot and undershoot

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 1.5 / Feb. 2005

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY57V641620ET-H	HYNIX	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O	获取价格
HY57V641620ETP-5	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX16, 4.5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE	获取价格
HY57V641620ETP-5I	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX16, 4.5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE	获取价格
HY57V641620ETP-6	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE	获取价格
HY57V641620ETP-H	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE	获取价格
HY57V641620FLP-6	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE	获取价格

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