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HY57V283220LT-S

更新时间： 2024-11-01 02:52:15

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
15页	914K
描述
4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM

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HY57V283220LT-S 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSSOP, TSSOP86,.46,20	针数：	86
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.83
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G86	长度：	22.238 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	86
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP86,.46,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.194 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.14 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

HY57V283220LT-S 数据手册

HY57V283220(L)T(P)/ HY5V22(L)F(P)

4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM

Revision History

Revision No.

History

Remark

0.1

0.2

Defined Preliminary Specification

1) Modified FBGA Ball Configuration Typo.

2) Changed Functional Block Diagram from A10 to A11.

3) Changed VDD min from 3.0V to 3.135V.

4) Changed Cap. Value from C11, 3, 5 to 4pf & C12, 3.8 to 4pf.

5) Insert tAC2 Value.

6) Insdrt tRAS & CLK Value.

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

Defined IDD Spec.

Delited Preliminary.

Changed IDD Spec.

133MHz Speed Added

Changed FBGA Package Size from 11x13 to 8x13.

1) Changed VDD min from 3.135V to 3.0V.

2) Changed VIL min from VSSQ-0.3V to -0.3V.

0.8

0.9

Modified of size erra. (Page15)

(Equation : 13.00 ± 10 -> 13.00 ± 0.10)

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor Inc. does not assume

any responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.9 / July 2004

12 3 4 5 6 7...15

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与HY57V283220LT-S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY57V283220LT-SI	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PDSO86, 0.400 X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, TSOP2-86
HY57V283220T	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM
HY57V283220T-5	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM
HY57V283220T-55	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM
HY57V283220T-55I	HYNIX	获取价格	暂无描述
HY57V283220T-5I	HYNIX	获取价格	暂无描述
HY57V283220T-6	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM
HY57V283220T-7	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM
HY57V283220T-7I	HYNIX	获取价格	暂无描述
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