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HY57V283220T-8

更新时间： 2024-11-01 04:58:03

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
15页	914K
描述
4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM

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HY57V283220T-8 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSSOP, TSSOP86,.46,20	针数：	86
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	125 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G86
长度：	22.238 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	86	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP86,.46,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.194 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

HY57V283220T-8 数据手册

HY57V283220(L)T(P)/ HY5V22(L)F(P)

4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM

Revision History

Revision No.

History

Remark

0.1

0.2

Defined Preliminary Specification

1) Modified FBGA Ball Configuration Typo.

2) Changed Functional Block Diagram from A10 to A11.

3) Changed VDD min from 3.0V to 3.135V.

4) Changed Cap. Value from C11, 3, 5 to 4pf & C12, 3.8 to 4pf.

5) Insert tAC2 Value.

6) Insdrt tRAS & CLK Value.

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

Defined IDD Spec.

Delited Preliminary.

Changed IDD Spec.

133MHz Speed Added

Changed FBGA Package Size from 11x13 to 8x13.

1) Changed VDD min from 3.135V to 3.0V.

2) Changed VIL min from VSSQ-0.3V to -0.3V.

0.8

0.9

Modified of size erra. (Page15)

(Equation : 13.00 ± 10 -> 13.00 ± 0.10)

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor Inc. does not assume

any responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.9 / July 2004

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY57V283220T-8I	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PDSO86, 0.400 X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, TSOP2-86
HY57V283220T-H	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM
HY57V283220T-I	ETC	获取价格	4Mx32\|3.3V\|4K\|55/6/7/8/P/S\|SDR SDRAM - 128M
HY57V283220T-P	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM
HY57V283220TP-5	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM
HY57V283220TP-55	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM
HY57V283220TP-6	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM
HY57V283220TP-7	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM
HY57V283220TP-8	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM
HY57V283220TP-H	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM

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