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HY57V281620AT-8

更新时间: 2024-01-10 09:42:29
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
13页 97K
描述
4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM

HY57V281620AT-8 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP54,.46,32
针数:54Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.7Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):125 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G54长度:22.22 mm
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:54
字数:8388608 words字数代码:8000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP54,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.2 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

HY57V281620AT-8 数据手册

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HY57V281620A  
VDD Clamp @ CLK, CKE, CS, DQM & DQ  
Minimum V DD clamp current  
(Referenced to VDD)  
VDD (V)  
I(mA)  
0.0  
0.2  
0.4  
0.6  
0.7  
0.8  
0.9  
1.0  
1.2  
1.4  
1.6  
1.8  
2.0  
2.2  
2.4  
2.6  
0.0  
0.0  
2 0  
1 5  
1 0  
5
0.0  
0.0  
0.0  
0.0  
0.0  
0.23  
1.34  
3.02  
5.06  
7.35  
9.83  
12.48  
15.30  
18.31  
0
0
1
2
3
V o lta g e  
I(m A)  
Minimum VSS clamp current  
VSS Clamp @ CLK, CKE, CS, DQM & DQ  
VSS(V)  
I (mA)  
- 3  
- 2 .5  
- 2  
- 1 .5  
- 1  
- 0 .5  
0
-2.6  
-2.4  
-2.2  
-2.0  
-1.8  
-1.6  
-1.4  
-1.2  
-1.0  
-0.9  
-0.8  
-0.7  
-0.6  
-0.4  
-0.2  
0.0  
-57.23  
-45.77  
-38.26  
-31.22  
-24.58  
-18.37  
-12.56  
-7.57  
-3.37  
-1.75  
-0.58  
-0.05  
0.0  
0
-10  
-20  
-30  
-40  
-50  
-60  
V o lta g e  
0.0  
I(m A)  
0.0  
0.0  
Rev. 1.3/Aug. 01  
11  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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8Mx16|3.3V|4K|6/K/H/8/P/S|SDR SDRAM - 128M