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HY51V16400HGLJ-7

更新时间： 2024-11-03 21:11:39

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	304K
描述
Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24

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HY51V16400HGLJ-7 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	24
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.43
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/BATTERY BACKUP REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-J24
长度：	16.9 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.75 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY51V16400HGT-5	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
HY51V16400HGT-7	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
HY51V16403HG(HGL)	ETC	获取价格	4Mx4\|3.3V\|4K\|5/6/7\|FP/EDO DRAM - 16M
HY51V16403HGJ-5	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
HY51V16403HGLJ-7	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
HY51V16403HGLT-6	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
HY51V16404	ETC	获取价格
HY51V16404AJ-60	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
HY51V16404AJ-70	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
HY51V16404AJ-80	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM