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HY51V16404BJ-80

更新时间： 2024-11-03 20:26:43

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	435K
描述
EDO DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24

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HY51V16404BJ-80 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	SOJ, SOJ24/26,.34
针数：	24	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J24	JESD-609代码：	e0
长度：	18.42 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ24/26,.34	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	3.76 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.0005 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY51V16404BR-60	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
HY51V16404BR-70	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
HY51V16404BR-80	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
HY51V16404BSLJ-60	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
HY51V16404BSLJ-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
HY51V16404BSLJ-80	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
HY51V16404BSLR-60	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
HY51V16404BSLR-70	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
HY51V16404BSLR-80	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
HY51V16404BSLT-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24