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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | SOP, | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.84 | 访问模式： | FAST PAGE WITH EDO |
| 最长访问时间： | 80 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-G |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | EDO DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 组织： | 4MX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY51V16404AR-60 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
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| HY51V16404AR-70 | HYNIX |
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EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24 |
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| HY51V16404AR-80 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
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| HY51V16404ASLJ-60 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
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| HY51V16404ASLJ-70 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
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| HY51V16404ASLJ-80 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
|
| HY51V16404ASLR-60 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
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| HY51V16404ASLR-70 | HYNIX |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24 |
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| HY51V16404ASLR-80 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
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| HY51V16404ASLT-60 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
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