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HY51V16403HGLT-6

更新时间： 2024-11-03 14:51:15

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器 ISM频段光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	334K
描述
EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24

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HY51V16403HGLT-6 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	26
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.35
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/BATTERY BACKUP REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G24	JESD-609代码：	e6
长度：	17.14 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY51V16404	ETC	获取价格
HY51V16404AJ-60	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
HY51V16404AJ-70	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
HY51V16404AJ-80	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
HY51V16404ALT-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, 0.300 INCH, TSOP2
HY51V16404ALT-80	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, 0.300 INCH, TSOP2
HY51V16404AR-60	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
HY51V16404AR-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24
HY51V16404AR-80	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
HY51V16404ASLJ-60	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM