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HY51V16400CR-50

更新时间: 2024-11-03 14:51:15
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器ISM频段光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 238K
描述
Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24

HY51V16400CR-50 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2-R,针数:26
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:50 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G24JESD-609代码:e6
长度:17.14 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:24字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2-R
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

HY51V16400CR-50 数据手册

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