生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2-R, | 针数: | 26 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FAST PAGE |
最长访问时间: | 50 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G24 | JESD-609代码: | e6 |
长度: | 17.14 mm | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM | 内存宽度: | 4 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 4194304 words |
字数代码: | 4000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 4MX4 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2-R |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | TIN BISMUTH |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY51V16400CR-70 | HYNIX |
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暂无描述 | |
HY51V16400CSLJ-60 | HYNIX |
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Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 | |
HY51V16400CSLJ-70 | HYNIX |
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Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 | |
HY51V16400CSLJ-80 | HYNIX |
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Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 | |
HY51V16400CSLR-60 | HYNIX |
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Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24 | |
HY51V16400CSLR-70 | HYNIX |
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Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24 | |
HY51V16400CSLT-50 | HYNIX |
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Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24 | |
HY51V16400CSLT-70 | HYNIX |
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Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24 | |
HY51V16400CT-50 | HYNIX |
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Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24 | |
HY51V16400CT-70 | HYNIX |
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Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24 |