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HY27SF081G2A-TPCS

更新时间: 2024-09-12 19:34:07
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
46页 388K
描述
Flash, 128MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48

HY27SF081G2A-TPCS 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP1
包装说明:TSSOP, TSSOP48,.8,20针数:48
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.62
最长访问时间:30 ns命令用户界面:YES
数据轮询:NOJESD-30 代码:R-PDSO-G48
JESD-609代码:e6长度:18.4 mm
内存密度:1073741824 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
部门数/规模:1K端子数量:48
字数:134217728 words字数代码:128000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP48,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH页面大小:2K words
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:1.8 V编程电压:1.8 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm部门规模:128K
最大待机电流:0.00005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA最大供电电压 (Vsup):1.95 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:20
切换位:NO类型:SLC NAND TYPE
宽度:12 mmBase Number Matches:1

HY27SF081G2A-TPCS 数据手册

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HY27SF(08/16)1G2A Series  
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash  
1Gb NAND FLASH  
HY27SF081G2A  
HY27SF161G2A  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for  
use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev 0.3 / Nov. 2006  
1

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