Datasheet > HY23V28150S-120

HY23V28150S-120

更新时间： 2024-02-29 00:39:01

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
6页	78K
描述
MASK ROM, 8MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HY23V28150S-120 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SOP, SOP44,.63
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最长访问时间：	120 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
长度：	28.275 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	MASK ROM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP44,.63	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.1 mm	最大待机电流：	0.0005 A
子类别：	MASK ROMs	最大压摆率：	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	12.6 mm
Base Number Matches：	1

HY23V28150S-120 数据手册

8MX16BIT

CMOS MASK ROM

preliminary

HY23V28150

Description

The HY23V28150 high performance read only memory is organized either as 8,388,608 x16 bit (word mode)

and has an access time of 100/120ns. It needs no external control clock to assure simple operation, because of

its asynchronous operation. It is designed to be suitable for use in program memory of game machine, data

memory and entertainments. The HY23V28150 is packaged in a 44SOP provides polarity programmable CE

and OE buffer as user option mode. The HY23V28150 includes page mode function. Page mode allows eight

words of data to be read in same page, CEB and A3~A22 should not be changed.

Key features

• Switchable Organization

Pin Description

Word Mode : 8,388,608 X 16 bit

• Single 3.3V power supply operation

• Access Time : 100/120ns (Max)

• Standby Current : 50uA(Max)

• Operating Current : 80mA(Max)

• TTL compatible inputs and outputs

• 3-State outputs for wired-OR expansion

• Programmable CE or OE pin

•Fully static operation

Function

A0~A22

Address Inputs

Q0~Q15 Data Outputs

CE/CE

OE/OE

VCC

Chip Enable Input

Output Enable Input

Power Supply(+3.3V)

Ground

• High reliability

• Package

HY23V28150S : 44pin Plastic SOP(500mil)

VSS

* User selectable polarity

• CEB : CE/CEB , OEB : OE/OEB

Pin Configuration

A21

A18

A17

A20

A19

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

A22

VSS

Q15

Q14

Q13

44SOP

CEB

VSS

OEB

Q10

Q11

Q12

VCC

HY23V28150S

Rev0 Page 1 of 6

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与HY23V28150S-120相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY23V28151S	HYNIX	获取价格	MASK ROM, 8MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44
HY23V28151S-120	HYNIX	获取价格	MASK ROM, 8MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44
HY23V28201M	HYNIX	获取价格	MASK ROM, 8MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48
HY23V28250M	HYNIX	获取价格	MASK ROM, 8MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48
HY23V28250M-100	HYNIX	获取价格	MASK ROM, 8MX16, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48
HY23V28250M-120	HYNIX	获取价格	MASK ROM, 8MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48
HY23V28251M	HYNIX	获取价格	MASK ROM, 8MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48
HY23V28251M-100	HYNIX	获取价格	MASK ROM, 8MX16, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48
HY23V28251M-120	HYNIX	获取价格	MASK ROM, 8MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48
HY23V32000D-100	HYNIX	获取价格	MASK ROM, 4MX8, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42

与HY23V28150S-120相关文章

MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
2024-06-28

1
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
2024-06-28

2
高压电解电容的分类与选型策略
2024-06-28

3
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
2024-06-27

6

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HY23V28150S-120

HY23V28150S-120 技术参数

HY23V28150S-120 数据手册

与HY23V28150S-120相关器件

与HY23V28150S-120相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HY23V28150S-120

HY23V28150S-120 技术参数

HY23V28150S-120 数据手册

与HY23V28150S-120相关器件

与HY23V28150S-120相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？