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HY23V28251M

更新时间： 2024-09-25 21:07:23
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 91K
描述
MASK ROM, 8MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48

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HY23V28251M 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：TSOP1,
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.29最长访问时间：120 ns
备用内存宽度：8JESD-30 代码：R-PDSO-G48
长度：18.4 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：MASK ROM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：12 mmBase Number Matches：1

HY23V28251M 数据手册

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8MX16/16MX8 BIT  
CMOS MASK ROM  
HY23V28251  
Description  
The HY23V28251 high performance read only memory is organized either as 16,777,216x8bit  
(byte mode) or as 8,388,608 x16 bit(word mode) and has an access time of 100/120ns. It needs no external  
control clock to assure simple operation, because of its asynchronous operation. It is designed to be suitable for  
use in program memory of game machine, data memory and entertainments. The HY23V28251 is packaged in  
a 48TSOP-I provides polarity programmable CE and OE buffer as user option mode. The HY23V28251  
includes page mode function. Page mode allows four words (or eight bytes) of data to be read in same page,  
CEB and A2~A22 should not be changed.  
Key features  
Pin Description  
• Switchable Organization  
Pin  
Function  
Byte Mode : 16,777,216 X 8 bit  
Word Mode : 8,388,608 X 16 bit  
• Single 3.3V power supply operation  
• Access Time : 100/120ns (Max)  
• Page Access Time : 30/50ns (Max)  
• Standby Current : 50uA(Max)  
• Operating Current : 80mA(Max)  
• TTL compatible inputs and outputs  
• 3-State outputs for wired-OR expansion  
• Programmable CE or OE pin  
• Word or Byte switchable by BHE pin  
• Fully static operation  
A0~A22  
Address Inputs  
Q0~Q14 Data Outputs  
Output Q15(Word Mode)  
LSB Address(Byte Mode)  
Q15/A-1  
BHE  
CE/CE  
OE/OE  
VCC  
Word/Byte Selection  
Chip Enable Input  
Output Enable Input  
Power Supply(+3.3V)  
Ground  
• High reliability  
• Package  
HY23V28251M : 48pin Plastic TSOP-I(12x20mm)  
VSS  
NC  
No Connection  
* User selectable polarity  
• CEB : CE/CEB , OEB : OE/OEB  
Pin Configuration  
1
2
48  
47  
46  
45  
44  
BHE  
A16  
A15  
A14  
A13  
A12  
A11  
A10  
A9  
VSS  
VSS  
Q15/A-1  
Q7  
Q14  
3
4
5
6
43 Q6  
7
Q13  
Q5  
Q12  
Q4  
VCC  
VCC  
A22  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
A8  
A19  
A21  
A20  
A18  
A17  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
48TSOP-I  
35 Q11  
34  
Q3  
Q10  
Q2  
Q9  
Q1  
Q8  
Q0  
OEB  
VSS  
VSS  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
A1  
A0  
CEB  
26  
25  
HY23V28251M  
Rev0 Page 1 of 7  
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与HY23V28251M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HY23V28251M-100 HYNIX

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 		MASK ROM, 8MX16, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48
HY23V28251M-120 HYNIX

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 		MASK ROM, 8MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48
HY23V32000D-100 HYNIX

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 		MASK ROM, 4MX8, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42
HY23V32000D-120 HYNIX

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 		MASK ROM, 4MX8, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42
HY23V32000D-70 HYNIX

获取价格

 		MASK ROM, 4MX8, 70ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42
HY23V32100D HYNIX

获取价格

 		MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42
HY23V32100D-100 HYNIX

获取价格

 		MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDIP42
HY23V32100D-120 HYNIX

获取价格

 		MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDIP42
HY23V32100D-70 HYNIX

获取价格

 		MASK ROM, 2MX16, 70ns, CMOS, PDIP42, DIP-42
HY23V32200F-100 HYNIX

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 		MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48

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