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HY23V64100D-100

更新时间： 2024-02-06 14:26:38

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海力士 - HYNIX		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
6页	61K
描述
MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42

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HY23V64100D-100 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIP, DIP42,.6
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最长访问时间：	100 ns	JESD-30 代码：	R-PDIP-T42
长度：	51.753 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	MASK ROM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	42
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP42,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	MASK ROMs	最大压摆率：	0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

HY23V64100D-100 数据手册

4MX16 BIT

CMOS MASK ROM

HY23V64100

Description

The HY23V64100 high performance read only memory is organized as 4,194,304 x16 bit(word mode) and has

an access time of 100/120ns. It needs no external control clock to assure simple operation, because of its

asynchronous operation. It is designed to be suitable for use in program memory of game machine, data memory

and entertainments. The HY23V64100 is packaged in a 42DIP provides polarity programmable and OE buffer

as user option mode.

Key features

• Switchable Organization

Pin Description

Word Mode : 4,194,304 X 16 bit

• Single 3.3V power supply operation

• Access Time : 100/120ns (Max)

• Standby Current : 50uA(Max)

• Operating Current : 35mA(Max)

• TTL compatible inputs and outputs

• 3-State outputs for wired-OR expansion

• Programmable OE pin

Function

A0 ~ A21

Q0 ~ Q15

OE/OE*

VCC

Address Inputs

Data Outputs

Output Enable input

Power Supply (+3.3V)

Ground

• Word or Byte switchable by BHE pin

• Fully static operation

• High reliability

VSS

• Package

HY23V64100D : 42pin Plastic DIP(600mil)

* User selectable polarity

• OEB : OE/OEB

Pin Configuration

A18

A17

A19

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

A20

VSS

Q15

A21

VSS

OE/OE

42DIP

Q14

Q13

Q10

Q12

Q11

VCC

HY23V64100D

Rev0 Page 1 of 6

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HY23V64200M-120	HYNIX	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48
HY23V64200S-100	HYNIX	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44
HY23V64200T-100	HYNIX	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44
HY23V64200T-120	HYNIX	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44
HY23W04000D	HYNIX	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 120ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
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HY23W04200D	HYNIX	获取价格	MASK ROM, 256KX16, 120ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40
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