生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 40 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 120 ns | 备用内存宽度: | 8 |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T40 | 长度: | 52.753 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | MASK ROM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 40 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256KX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.08 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY23W04200D-100 | HYNIX |
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MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDIP40 |
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HY23W04200D-120 | HYNIX |
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MASK ROM, 512KX8, 120ns, CMOS, PDIP40 |
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HY23W04200S | HYNIX |
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MASK ROM, 256KX16, 120ns, CMOS, PDSO40, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-40 |
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HY23W04200S-120 | HYNIX |
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MASK ROM, 512KX8, 120ns, CMOS, PDSO40 |
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HY23W08000D | HYNIX |
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MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
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HY23W08000S | HYNIX |
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MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-32 |
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HY23W08200D-100 | HYNIX |
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MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDIP42 |
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HY23W08200S | HYNIX |
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MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44 |
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HY23W08200S-100 | HYNIX |
获取价格 |
MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44 |
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HY23W08200S-120 | HYNIX |
获取价格 |
MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44 |
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