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HY23V28250M-120

更新时间： 2024-02-13 19:30:10
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 91K
描述
MASK ROM, 8MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48

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HY23V28250M-120 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：TSOP1, TSSOP48,.8,20
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.84
最长访问时间：120 ns备用内存宽度：8
JESD-30 代码：R-PDSO-G48长度：18.4 mm
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：MASK ROM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：48字数：8388608 words
字数代码：8000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：8MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.00005 A子类别：MASK ROMs
最大压摆率：0.08 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

HY23V28250M-120 数据手册

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8MX16/16MX8 BIT  
CMOS MASK ROM  
preliminary  
HY23V28250  
Description  
The HY23V28250 high performance read only memory is organized either as 16,777,216x8bit  
(byte mode) or as 8,388,608 x16 bit(word mode) and has an access time of 100/120ns. It needs no external  
control clock to assure simple operation, because of its asynchronous operation. It is designed to be suitable for  
use in program memory of game machine, data memory and entertainments. The HY23V28250 is packaged in  
a 48TSOP-I provides polarity programmable CE and OE buffer as user option mode. The HY23V28250  
includes page mode function. Page mode allows eight words (or sixteen bytes) of data to be read in same  
page, CEB and A3~A22 should not be changed.  
Key features  
Pin Description  
• Switchable Organization  
Pin  
Function  
Byte Mode : 16,777,216 X 8 bit  
Word Mode : 8,388,608 X 16 bit  
• Single 3.3V power supply operation  
• Access Time : 100/120ns (Max)  
• Page Access Time : 30/50ns (Max)  
• Standby Current : 50uA(Max)  
• Operating Current : 80mA(Max)  
• TTL compatible inputs and outputs  
• 3-State outputs for wired-OR expansion  
• Programmable CE or OE pin  
• Word or Byte switchable by BHE pin  
• Fully static operation  
A0~A22  
Address Inputs  
Q0~Q14 Data Outputs  
Output Q15(Word Mode)  
LSB Address(Byte Mode)  
Q15/A-1  
BHE  
CE/CE  
OE/OE  
VCC  
Word/Byte Selection  
Chip Enable Input  
• High reliability  
• Package  
HY23V28250M : 48pin Plastic TSOP-I(12x20mm)  
Output Enable Input  
Power Supply(+3.3V)  
Ground  
VSS  
NC  
No Connection  
* User selectable polarity  
• CEB : CE/CEB , OEB : OE/OEB  
Pin Configuration  
1
2
48  
47  
46  
45  
44  
BHE  
A16  
A15  
A14  
A13  
A12  
A11  
A10  
A9  
VSS  
VSS  
Q15/A-1  
Q7  
Q14  
3
4
5
6
43 Q6  
7
Q13  
Q5  
Q12  
Q4  
VCC  
VCC  
A22  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
A8  
A19  
A21  
A20  
A18  
A17  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
48TSOP-I  
35 Q11  
34  
Q3  
Q10  
Q2  
Q9  
Q1  
Q8  
Q0  
OEB  
VSS  
VSS  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
A1  
A0  
CEB  
26  
25  
HY23V28250M  
Rev0 Page 1 of 7  
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与HY23V28250M-120相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HY23V28251M HYNIX

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 		MASK ROM, 8MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48
HY23V28251M-100 HYNIX

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 		MASK ROM, 8MX16, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48
HY23V28251M-120 HYNIX

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 		MASK ROM, 8MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48
HY23V32000D-100 HYNIX

获取价格

 		MASK ROM, 4MX8, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42
HY23V32000D-120 HYNIX

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 		MASK ROM, 4MX8, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42
HY23V32000D-70 HYNIX

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 		MASK ROM, 4MX8, 70ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42
HY23V32100D HYNIX

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 		MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42
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 		MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDIP42
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