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HX6156KBGT

更新时间: 2024-01-23 18:33:40
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霍尼韦尔 - HONEYWELL 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 691K
描述
Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, DIE

HX6156KBGT 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:DIE
包装说明:DIE,Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.65最长访问时间:25 ns
JESD-30 代码:X-XUUC-N内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
功能数量:1字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:256KX1封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIE封装形状:UNSPECIFIED
封装形式:UNCASED CHIP并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

HX6156KBGT 数据手册

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