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HWB513ESY

更新时间: 2024-02-13 17:19:01
品牌 Logo 应用领域
精工 - SEIKO 可编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 437K
描述
256KX16 FLASH 12V PROM CARD, 200ns, XMA68

HWB513ESY 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.84
最长访问时间:200 ns其他特性:HARDWARE WRITE PROTECT; 10K ERASE CYCLES MIN
JESD-30 代码:X-XXMA-X68内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FLASH CARD内存宽度:16
功能数量:1端子数量:68
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:60 °C
最低工作温度:组织:256KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:UNSPECIFIED封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL编程电压:12 V
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UNSPECIFIED类型:NOR TYPE
Base Number Matches:1

HWB513ESY 数据手册

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