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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 250 ns | 备用内存宽度： | 16 |
| JESD-30 代码： | X-XXMA-X68 | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH CARD | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 68 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 60 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | UNSPECIFIED | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 编程电压： | 12 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UNSPECIFIED | 类型： | NOR TYPE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HWB601S8X | SEIKO |
获取价格 |
Flash Card, 3MX16, 200ns |
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| HWB601S8Y | SEIKO |
获取价格 |
3MX16 FLASH 12V PROM CARD, 200ns, XMA68 |
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| HWB801(PCMCIA)4(LOW-VOLT) | SEIKO |
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Flash Card, 4MX16, 200ns |
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| HWB801{PCMCIA}2{LOW-VOLT} | SEIKO |
获取价格 |
4MX16 FLASH 12V PROM CARD, 200ns, XMA68 |
|
| HWB801{PCMCIA}4{LOW-VOLT} | SEIKO |
获取价格 |
4MX16 FLASH 12V PROM CARD, 200ns, XMA68 |
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| HWB801S8X | SEIKO |
获取价格 |
4MX16 FLASH 12V PROM CARD, 200ns, XMA68 |
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| HWB801S8X0 | SEIKO |
获取价格 |
4MX16 FLASH 12V PROM CARD, 200ns, XMA68 |
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| HWB801S8Y | SEIKO |
获取价格 |
4MX16 FLASH 12V PROM CARD, 200ns, XMA68 |
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| HWB801S8Y0 | SEIKO |
获取价格 |
4MX16 FLASH 12V PROM CARD, 200ns, XMA68 |
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| HWC27NC | HW |
获取价格 |
C-Band Power FET Non-Via Hole Chip |
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