生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.1.A | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 200 ns |
其他特性: | HARDWARE WRITE PROTECT; 10K ERASE/WRITE CYCLES MIN | JESD-30 代码: | X-XXMA-X68 |
内存密度: | 67108864 bit | 内存集成电路类型: | FLASH CARD |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 68 | 字数: | 4194304 words |
字数代码: | 4000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 60 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 4MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | UNSPECIFIED |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行: | PARALLEL |
编程电压: | 12 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UNSPECIFIED |
类型: | NOR TYPE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HWB801{PCMCIA}2{LOW-VOLT} | SEIKO |
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4MX16 FLASH 12V PROM CARD, 200ns, XMA68 | |
HWB801{PCMCIA}4{LOW-VOLT} | SEIKO |
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4MX16 FLASH 12V PROM CARD, 200ns, XMA68 | |
HWB801S8X | SEIKO |
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4MX16 FLASH 12V PROM CARD, 200ns, XMA68 | |
HWB801S8X0 | SEIKO |
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4MX16 FLASH 12V PROM CARD, 200ns, XMA68 | |
HWB801S8Y | SEIKO |
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4MX16 FLASH 12V PROM CARD, 200ns, XMA68 | |
HWB801S8Y0 | SEIKO |
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4MX16 FLASH 12V PROM CARD, 200ns, XMA68 | |
HWC27NC | HW |
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C-Band Power FET Non-Via Hole Chip | |
HWC27YC | HW |
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C-Band Power FET Via Hole Chip | |
HWC30NC | HW |
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C-Band Power FET Non-Via Hole Chip | |
HWC34NC | HW |
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C-Band Power FET Non-Via Hole Chip |