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HVP12

更新时间: 2024-02-29 07:20:26
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 二极管高压
页数 文件大小 规格书
2页 53K
描述
HIGH-VOLTAGE DIODES

HVP12 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:R-XUFM-D2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.73
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-XUFM-D2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:135 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:0.75 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

HVP12 数据手册

 浏览型号HVP12的Datasheet PDF文件第1页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
HVM5-HVM16 HVP5-HVP16  
RATING & CHARACTERISTIC CURVES OF HIGH-VOLTAGE DIODES  
FIG. 2-MAXIMUMNON-REPETITIVEPEAK  
FORWARDSURGECURRENT  
FIG.1-CHRRENTDERATING  
60  
IO(A)  
HVP  
50  
0.75  
HVP  
40  
HVM  
0.35  
30  
T = 25°C  
20  
HVM  
10  
0
Tamb(°C)  
60  
125  
1
10  
100  
AMBIENT TEMPERATUER.°C  
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz  
FIG.3-TYPICALREVERSECHARACTERISTICS  
FIG.4-TYPICALFORWARDCHARACTERISTICS  
5
100  
TA=25°C  
TA=125°C  
0.35  
0.05  
10  
1.0  
0.4  
0.1  
0
6
8
10  
12  
14  
16  
5
8
10  
12  
14  
16  
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE.VOLTS  
RATED PEAK REVERSE VOLTAGE(%)  
14C–2/2  

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