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HVD350B-E

更新时间: 2024-09-21 13:08:27
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 二极管变容二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 141K
描述
16.25pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, SFP-2

HVD350B-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-F2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.2配置:SINGLE
二极管电容容差:4.62%最小二极管电容比:2.8
标称二极管电容:16.25 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F2
JESD-609代码:e6湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:20Base Number Matches:1

HVD350B-E 数据手册

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HVD350B  
Variable Capacitance Diode for VCO  
REJ03G0497-0100  
(Previous: ADE-208-848)  
Rev.1.00  
Jan 20, 2005  
Features  
High capacitance ratio. (n = 2.80 min)  
Low series resistance. (rs = 0.50 max)  
Good C-V linearity.  
Super small Flat Lead Package (SFP) is suitable for surface mount design.  
Ordering Information  
Type No.  
HVD350B  
Laser Mark  
Package Code  
A
SFP  
Pin Arrangement  
Cathode mark  
Mark  
1
2
1. Cathode  
2. Anode  
Rev.1.00 Jan 20, 2005 page 1 of 4  

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