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HVD358B

更新时间: 2024-02-07 06:11:40
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瑞萨 - RENESAS 二极管变容二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 54K
描述
Variable Capacitance Diode for VCO

HVD358B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-F2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.2配置:SINGLE
二极管电容容差:3.7%最小二极管电容比:2.2
标称二极管电容:20.25 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F2
JESD-609代码:e6湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:20Base Number Matches:1

HVD358B 数据手册

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HVD358B  
Variable Capacitance Diode for VCO  
REJ03G0499-0200  
Rev.2.00  
Jan 24, 2006  
Features  
High capacitance ratio. (n = 2.20 min)  
Low series resistance. (rs = 0.40 max)  
Good C-V linearity.  
Super small Flat Lead Package (SFP) is suitable for surface mount design.  
Ordering Information  
Type No.  
Laser Mark  
Package Name  
Package Code  
HVD358B  
C
SFP  
PUSF0002ZB-A  
Pin Arrangement  
Cathode mark  
Mark  
1
2
1. Cathode  
2. Anode  
Rev.2.00 Jan 24, 2006 page 1 of 4  

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