5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | R-PDSO-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.14 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 二极管电容容差： | 4.62% |
| 最小二极管电容比： | 2.8 | 标称二极管电容： | 16.25 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 15 V |
| 子类别： | Varactors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| HVD355B | RENESAS |
功能相似  |
Variable Capacitance Diode for VCO |
|
| NTE612 | NTE |
功能相似 |
Voltage Variable Capacitance Diode (Tuning Diode) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HVC350B-E | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| HVC350BKRF | RENESAS |
获取价格 |
15 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
|
| HVC350BKRU | HITACHI |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, 15V, Silicon |
|
| HVC350BKRU | RENESAS |
获取价格 |
15V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
|
| HVC350BKRV | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| HVC350BKRV | RENESAS |
获取价格 |
15V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
|
| HVC350BTRF | HITACHI |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, 15V, Silicon |
|
| HVC350BTRF | RENESAS |
获取价格 |
15V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
|
| HVC350BTRF-E | RENESAS |
获取价格 |
15V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
|
| HVC350BTRU | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
